DDR6 RAM yaxınlaşır: Yeni nəsil yaddaş texnologiyası

Samsung, Micron və SK Hynix şirkətlərinin liderlik etdiyi yeni nəsil DRAM yaddaşının inkişafı prototip mərhələsini keçərək intensiv sınaqlar mərhələsinə daxil olub. Asiya mənbələrindən alınan məlumata görə, DDR6 yaddaşının 2026-cı ildə təsdiq mərhələsinə keçməsi və 2027-ci ildə ilk dəfə server platformalarında istifadəyə verilməsi planlaşdırılır.

Yeni DDR6 arxitekturası ilə yaddaş sürəti ilkin olaraq 8800 MT/s-dən başlayacaq, lakin tezliklə 17600 MT/s-ə qədər artacağı gözlənilir. Bu artım birbaşa DDR6-nın 4×24 bit alt-kanal arxitekturası ilə əlaqədardır. DDR5-in 2×32 bit kanal quruluşuna nisbətən siqnal bütövlüyü baxımından daha mürəkkəb olan bu quruluş daha yüksək sürətlərə imkan verir. Yeni arxitektura yalnız performansı deyil, həm də məlumat ötürmə effektivliyini əhəmiyyətli dərəcədə artırır.

Sürətin artması ilə ənənəvi DIMM formalarının fiziki məhdudiyyətləri yeni həllər tələb edir. DDR6 yaddaşı hazırda CAMM2 standartına uyğun olaraq hazırlanır. Ənənəvi yaddaş modullarına nisbətən daha incə və effektiv forma faktoru təqdim edən CAMM2, əvvəlcə server sistemlərində istifadə olunacaq və sonradan yüksək performanslı noutbuklara da inteqrasiya ediləcək.

DDR6-nın yüksək istehsal dəyəri nəzərə alınaraq, ilkin istifadəsinin məlumat mərkəzləri və süni intellekt tədqiqat təşkilatları ilə məhdudlaşacağı gözlənilir. Lakin, 2027-ci ilədək CAMM2 əsaslı DDR6 yaddaşının həm serverlərdə, həm də yüksək sürətli masaüstü sistemlərdə geniş yayılacağı gözlənilir. DDR4-ün hələ də aktiv şəkildə istifadə olunduğu və DDR5-in tam olaraq geniş yayılmadığı bir zamanda DDR6 yaddaş texnologiyasında yeni bir sıçrayışı təmsil edir.