🎉 Son Yeniliklər: Yeni dizaynımızı istifadəyə verdik.

Axtar

Məşhur kanallar

Bugun.az
Bugun.az
9 abunə
Son Xeberler
Son Xeberler
9 abunə
Anar Türkeş
Anar Türkeş
6 abunə
SON Xəbər
SON Xəbər
4 abunə

Dünyanın Ən Sürətli Yaddaşı: 400 Pikosanidə Yazı!

21.04.2025 18:03 11 baxış sayı 3 dəq. oxuma
Dünyanın Ən Sürətli Yaddaşı: 400 Pikosanidə Yazı!

Beynəlxalq tədqiqatçıların qrupu, məlumatı cəmi 400 pikosanidə yaza bilən dünyanın ən sürətli flash yaddaşını yaratdı. Bu kəşf, mövcud yaddaş texnologiyalarını xeyli geridə qoyaraq gələcək saxlama sistemlərində əhəmiyyətli performans artımına səbəb ola bilər.


Antimon və qrafendən hazırlanan unikal quruluş sayəsində yaddaş prototipi çox sürətli keçid qabiliyyətinə malikdir. Nano saniyə miqyasında işləyən adi NAND flash yaddaşlarla müqayisədə, yeni texnologiya yazma sürətini bir neçə dəfə artırır. Bir bit məlumatın yazılması indi bir trilyonda bir saniyədən az vaxt alır. Tədqiqatçılar bu sürət sıçrayışının real vaxt emalı tələb edən yeni nəsil kompüter tapşırıqları üçün uyğun ola biləcəyinə inanırlar.


Komanda qrafen bazasının üzərinə antimonun tək bir təbəqəsindən hazırlanmış nanoskopik bir quruluşdan istifadə edib. Bu birləşmə həm sürət, həm də enerji səmərəliliyi təmin edir. Dizayn, misilsiz keçid performansı təqdim edərkən ənənəvi yaddaşa nisbətən daha az enerji tələb edir. Belə keyfiyyətlər onu yüksək performanslı hesablama və süni intellekt əsaslı sistemlər üçün ideal edir.


Yazma gecikməsini əhəmiyyətli dərəcədə azaltmaqla, bu yaddaş tamamilə yeni saxlama arxitekturalarına imkan yarada bilər. Cihazlar daha sürətli açıla, məlumatları daha tez emal edə və mürəkkəb tapşırıqları daha az gecikmə ilə yerinə yetirə bilər. Hələ prototip mərhələsində olsa da, araşdırma həm istehlakçı, həm də müəssisə avadanlıqları üçün böyük imkanlar açır.


Kəşfə baxmayaraq, kommersiyalaşdırma hələ uzaqdır. Belə kiçik, dəqiq strukturların kütləvi istehsalı hələ çətindir. Tədqiqatçılar indi davamlılığı və mövcud çip dizaynları ilə inteqrasiyasını yaxşılaşdırmaq üzərində işləyirlər. Əgər uğurlu olarsa, bu gələcək illərdə flash yaddaş performansı üçün yeni bir əsas qoya bilər. Bu inkişaf, material elminin hesablama texnologiyalarını necə irəli apardığını göstərir. Yazma vaxtı 400 pikosanidə qədər az olduqda, gələcəyin saxlama sistemləri əvvəllər yüksək səviyyəli yaddaş modulları üçün ayrılmış sürətlə işləyə bilər.


Paylaş: